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HYG180N10LS1D HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG180N10LS1D，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，特性：100V/45A，RDS(ON)= 16mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON)= 24mΩ (典型值) @ VGS = 6V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准

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MPN
HYG180N10LS1D
品牌/制造商
HUAYI(华羿微)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HYG180N10LS1D
公开内容边界

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