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KIA50N03BD KIA 现货与清单询价

KIA50N03BD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 50A，30V，RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力