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KNB2803T KIA 现货与清单询价

KNB2803T，KIA，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽技术。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试