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KNY6610A KIA 现货与清单询价
KNY6610A,KIA,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),DFN-8封装,询盘确认库存,特性:采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ(VGS = 10V时)。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用:PWM应用。 电源管理
- MPN
- KNY6610A
- 品牌/制造商
- KIA
- 封装
- DFN-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/KNY6610A
