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NSM2012-20B5R-DSPR NOVOSENSE(纳芯微) 现货与清单询价

NSM2012-20B5R-DSPR,NOVOSENSE(纳芯微),传感器 / 电流传感器,SOIC-8封装,询盘确认库存,NSM2012是一款集成路径电流传感器,具有1.2mΩ极低的导通电阻,减少了芯片上的热损耗。创新的隔离技术以及信号调理设计能够满足高隔离等级的同时感测流过内部Busbar的电流。内部采用差分霍尔对,因此对外部杂散磁场有很强的抵御能力。支

MPN
NSM2012-20B5R-DSPR
品牌/制造商
NOVOSENSE(纳芯微)
封装
SOIC-8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NSM2012-20B5R-DSPR
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