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TSK50N30M Truesemi(信安) 现货与清单询价

TSK50N30M，Truesemi(信安)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术制造。 50A，300V，最大 RDS(on)=0.06Ω @VGS=10V。 漏源击穿电压：BVDSS=300V（最小值）。 低栅极电荷：Qg = 122nC（典型值）。 100% 雪

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MPN
TSK50N30M
品牌/制造商
Truesemi(信安)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TSK50N30M
公开内容边界

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