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QFN-12-EP 现货库存

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QFN-12-EP 现货结果

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封装:QFN-12-EP
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结果货架 当前页 24 行 / 共 168 个 封装:QFN-12-EP
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

BGS16MA12E6327

Infineon(英飞凌)

频率:100MHz~6GHz · 隔离度:50dB
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / 射频开关
QFN-12-EP
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BGS8324Z

NXP(恩智浦)

BGS8324Z
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF放大器
QFN-12-EP
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CDC1104RVKR

TI(德州仪器)

CDC1104 用于 3D 图像的 1:4 可配置低频时钟缓冲器
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
时钟和定时 / 时钟缓冲器/驱动器/分配器
QFN-12-EP
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DG2032EDN-T1-GE4

Vishay(威世)

开关电路:2:1 · 通道数:2
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
通信接口芯片 / 模拟开关/多路复用器
QFN-12-EP
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DG2034EDN-T1-GE4

Vishay(威世)

开关电路:4:1 · 工作电压:1.8V~5.5V
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
通信接口芯片 / 模拟开关/多路复用器
QFN-12-EP
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EMC2103-4-AP-TR

Microchip(美国微芯)

工作电压:3.3V
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
传感器 / 温度传感器
QFN-12-EP
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ES7149

Everest-semi(顺芯)

分辨率(位):24 · 通道数:2
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
ADC/DAC/数据转换 / ADC/DAC-专用型
QFN-12-EP
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F1129LBNELI

RENESAS(瑞萨)/IDT

F1129LB是一款1.4GHz至3.2GHz的单端输入 · 差分输出高增益RF放大器
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF放大器
QFN-12-EP
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F1129LBNELI8

RENESAS(瑞萨)/IDT

F1129LB是一款1.4GHz至3.2GHz的单端输入 · 差分输出高增益RF放大器
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF放大器
QFN-12-EP
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F1129MBNELI

RENESAS(瑞萨)/IDT

单端输入 · 差分输出3.0GHz至4.2GHz高增益RF放大器
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF放大器
QFN-12-EP
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F1129MBNELI8

RENESAS(瑞萨)/IDT

单端输入 · 差分输出3.0GHz至4.2GHz高增益RF放大器
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF放大器
QFN-12-EP
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F2972NEGK

RENESAS(瑞萨)/IDT

F2972是一款单刀双掷(SP2T)反射式射频开关 · 具有高线性和宽频带
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射频芯片/天线 / 射频开关
QFN-12-EP
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F2972NEGK8

RENESAS(瑞萨)/IDT

隔离度:40dB · 插入损耗:0.34dB
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射频芯片/天线 / 射频开关
QFN-12-EP
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F2977NEGK8

RENESAS(瑞萨)/IDT

隔离度:39dB · 插入损耗:0.38dB
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射频芯片/天线 / 射频开关
QFN-12-EP
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FXLN8362QR1

NXP(恩智浦)

FXLN8362QR1
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传感器 / 姿态传感器/陀螺仪
QFN-12-EP
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HMC1048ALC3BTR

ADI(亚德诺)

噪声系数:10dB · 工作温度:-40℃~+85℃
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射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC1048ALC3BTR-R5

ADI(亚德诺)

HMC1048ALC3BTR-R5是一款通用的单片微波集成电路(MMIC) · 双平衡混频器
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射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC260ALC3BTR-R5

ADI(亚德诺)

HMC260ALC3B 是一种通用的双平衡混频器 · 封装在无引脚、无铅、符合RoHS标准的陶瓷LCC封装中
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射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC264LC3B

ADI(亚德诺)

噪声系数:9dB · 工作电流:25mA
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射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC264LC3BTR

ADI(亚德诺)

HMC264LC3BTR是一款21-31GHz次谐波混频器 · 具有集成的LO放大器
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射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC264LC3BTR-R5

ADI(亚德诺)

噪声系数:9dB · 工作电流:25mA
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射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC292ALC3B

ADI(亚德诺)

HMC292ALC3B是一款通用型双平衡混频器 · 封装在无铅、RoHS合规的12引脚陶瓷LCC封装中
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC292ALC3BTR

ADI(亚德诺)

噪声系数:10.5dB · 工作温度:-40℃~+85℃
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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HMC292ALC3BTR-R5

ADI(亚德诺)

HMC292ALC3BTR-R5是一款通用型双平衡混频器 · 封装在无铅、RoHS合规的12引脚陶瓷LCC封
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封装QFN-12-EP 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
射频芯片/天线 / RF混频器
QFN-12-EP
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