制造商现货
KIA 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 296 个公开可查询型号。
296匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
KNY8104A
KIA
特性：RDS(ON) = 12mΩ (typ.)@VGS = 10V · 极低导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNG8104A
KIA
特性：RDS(ON)=12mΩ (typ.)@VGS = 10V · 极低导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KPY3203D
KIA
特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V · 超低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA3510AD
KIA
特性：RDS(on) = 9mΩ (典型值) @ VSS = 10V · 100%雪崩测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KCD3304A
KIA
特性：先进的SGT技术 · RDS(ON) = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA50N06DD
KIA
N管 50A 60V Rds7.5-9.0mΩ Ciss 3000PF TO-252三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KPE4403A2
KIA
高单元密度沟槽式双 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KND3080
KIA
特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA78L05T
KIA
KIA78L05是一款单片式固定电压调节集成电路 · 适用于所需供电电流高达100 mA的应用场景电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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KND7N65B
KIA
特性：先进的平面工艺 · RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）@VGS = 10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KND3404C
KIA
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KNY6610A
KIA
特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产 · 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY3303C
KIA
特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V · DFN3*3三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY3404D
KIA
特性：RDS(ON) = 5.2mΩ (typ.)@VGS = 10V · 极低导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
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KPE4403B
KIA
特性：RDS(ON) = 40mΩ (典型值) @ VGS = -10V · -5V逻辑电平控制三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KNG3303C
KIA
特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V · DFN3*3三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY3303A
KIA
这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造 · 这项先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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KNP6140S
KIA
设计用于高压、高速功率开关应用 · 如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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KNF6140S
KIA
专为高压、高速功率开关应用而设计 · 如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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KCD3406A
KIA
KCX3406A是一款采用KIA公司的LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管 · 经过改进的三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KNB2915A
KIA
特性：RDS(ON)= 10mΩ(typ.)@ VGS = 10V · 使用CRM(CQ)先进沟槽技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNB2908D
KIA
特性：RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V · 提供无铅和环保器件三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNC2404A
KIA
特性：RDS(on)(TP) = 2.2mΩ @ VGS = 10V · 提供无铅和环保器件三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-6L
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KND2803A
KIA
特性：RDS(on)=2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V · 低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KNF6180B
KIA
KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管 · 经过改进的工艺三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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